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消息稱蘋果正測試 ALD 工藝，為下一代 iPhone Pro 鏡頭添加抗反射光學涂層
- IT之家 4 月 16 日消息，消息源 yeux1122 近日在其 Naver 博客上曝料，表示從蘋果供應(yīng)鏈處獲悉，蘋果正測試新的抗反射光學涂層技術(shù)，可以減少鏡頭炫光和鬼影等偽影，從而提高照片質(zhì)量。供應(yīng)鏈消息稱蘋果正在考慮在 iPhone 相機鏡頭制造工藝中，引入新的原子層沉積（ALD）設(shè)備。原子層沉積（Atomic layer deposition，ALD）是一種基于連續(xù)使用氣相化學過程的薄膜沉積技術(shù)，將物質(zhì)以單原子膜形式逐層鍍在襯底表面的方法。ALD 是一種真正的納米技術(shù)
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建設(shè)高端半導體裝備，SRII賦能新一代集成電路制造
- 思銳智能攜業(yè)界尖端的離子注入（IMP）和原子層沉積（ALD）技術(shù)亮相SEMICON China 2024，持續(xù)建設(shè)全球一流的高端半導體制造裝備，廣泛賦能集成電路、第三代半導體等諸多高精尖領(lǐng)域。展會現(xiàn)場精彩瞬間思銳智能離子注入機（IMP）模型根據(jù)SEMI的數(shù)據(jù)，受芯片需求疲軟等影響，2023年全球半導體設(shè)備銷售額為1056億美元，同比下降1.9%，而中國大陸地區(qū)半導體設(shè)備銷售額同比增長28.3%。中國對成熟節(jié)點技術(shù)表現(xiàn)出了強勁的需求和消費能力。縱觀全局，離子注入已成為半導體器件制備中最主要的摻雜方法，是最基
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立足產(chǎn)業(yè)發(fā)展新階段，思銳智能以先進ALD技術(shù)拓展超摩爾時代新維度
- 日前，以“凝聚芯合力，發(fā)展芯設(shè)備”為主題的第十屆（2022）中國半導體設(shè)備年會（CSEAC）在無錫太湖國際博覽中心隆重召開。中國集成電路創(chuàng)新聯(lián)盟秘書長、中國半導體協(xié)會集成電路分會理事長葉甜春在致辭中強調(diào)，中國集成電路發(fā)展到現(xiàn)在，確實需要進入新的階段。這帶來的變化就是從被動到主動的變化。如今，既然我們有自己的體系，就需要從系統(tǒng)應(yīng)用、設(shè)計、制造、封測、裝備、裁量、零部件形成內(nèi)循環(huán)，然后對接國際資源構(gòu)建國內(nèi)國際雙循環(huán)，最終主動打造一個以我為主的全球化的新生態(tài)。在百年未有之大變局下，半導體產(chǎn)業(yè)同樣迎接巨變。隨著半
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創(chuàng)新，引領(lǐng)未來
- 原子層沉積(ALD, Atomic Layer Deposition)工藝，是當前及未來工藝節(jié)點相關(guān)的收縮及更復雜器件幾何形狀上沉積薄層材料的關(guān)鍵技術(shù)。如今，隨著技術(shù)節(jié)點以驚人的速度持續(xù)進步，精確而又高效地生成關(guān)鍵器件特征成為了一項持久的挑戰(zhàn)。 原子層沉積工藝依靠專業(yè)的高性能原子層沉積閥在數(shù)百萬個脈沖中輸送精確的化學品劑量，構(gòu)建形成材料層。為了達到原子級精密度和高生產(chǎn)良品率，輸送這些脈沖式化學品劑量的閥門必須日益精確且一致。世偉洛克一直致力于此，不斷刷新ALD閥使用壽命、響應(yīng)時間、高溫高流量應(yīng)用
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原子級工藝實現(xiàn)納米級圖形結(jié)構(gòu)的要求
- 原子層刻蝕和沉積工藝利用自限性反應(yīng)，提供原子級控制。泛林集團先進技術(shù)發(fā)展事業(yè)部公司副總裁潘陽博士?分享了他對這個話題的看法。圖 1.?原子層工藝中的所有半周期反應(yīng)是自限性反應(yīng)。技術(shù)節(jié)點的每次進步都要求對制造工藝變化進行更嚴格的控制。最先進的工藝現(xiàn)在可以達到僅7 nm的fin寬度，比30個硅原子稍大一點。半導體制造已經(jīng)跨越了從納米級到原子級工藝的門檻。工程師現(xiàn)在必須關(guān)注結(jié)構(gòu)的尺寸變化，僅相當于幾個原子大小。由于多重圖案模式等復雜集成增加了工藝數(shù)量，進一步限制了每個步驟允許的變化。3D N
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國內(nèi)首臺集成電路ALD設(shè)備進駐上海集成電路研發(fā)中心
- 近日，由北方華創(chuàng)下屬子公司北方華創(chuàng)微電子自主研發(fā)的國內(nèi)首臺12英寸原子層沉積(AtomicLayerDeposition，ALD)設(shè)備進駐上海集成電路研發(fā)中心。北方華創(chuàng)微電子為國產(chǎn)高端裝備在先進集成電路芯片生產(chǎn)線的應(yīng)用再添新秀。 ALD設(shè)備是先進集成電路制造工藝中必不可少的薄膜沉積設(shè)備，ALD工藝具有工藝溫度低、薄膜厚度控制精確及臺階覆蓋率高等優(yōu)點。在集成電路特征線寬發(fā)展到28納米節(jié)點后，ALD工藝應(yīng)用日益廣泛。北方華創(chuàng)微電子自2014年開始布局ALD設(shè)備的開發(fā)計劃，歷時四年，成功推出中國首臺應(yīng)
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液化空氣集團電子氣業(yè)務(wù)加強高介電常數(shù)鋯基前驅(qū)體的專利保護
- 液化空氣集團電子氣業(yè)務(wù)線近日宣布，其應(yīng)用于半導體制造的前驅(qū)體ZyALD已獲得中國專利局授予的相關(guān)專利，從而使中國成為了繼韓國、新加坡、中國臺灣以及部分歐洲國家之后又一獲得該項專利的國家。此外，相關(guān)專利的申請工作在其他國家及地區(qū)也預期順利。ZyALD及其它類似分子應(yīng)用于高介電常數(shù)沉積鍍膜，該工藝目前已在全球范圍內(nèi)獲得11項專利，另有13項專利正在申請中。 ZyALD是上述已獲專利的系列分子中一種重要的鋯前驅(qū)體(功能分子)。該分子能夠在半導體制造工藝中，實現(xiàn)高溫條
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ASM：邁入FinFET將需要全方位ALD方案
- 半導體產(chǎn)業(yè)正在轉(zhuǎn)換到3D結(jié)構(gòu)，進而導致關(guān)鍵薄膜層對高速原子層沉積(ALD)的需求日益升高。過去在平面元件中雖可使用幾個 PVD 與 CVD 步驟，但就閘極堆疊的觀點而言，過渡到 FinFET 元件將需要全方位的 ALD 解決方案。 就 FinFET 而言，以其尺寸及控制關(guān)鍵元件參數(shù)對后閘極 (gate last) 處理的需求來說，在 14 奈米制程必需用到全 ALD 層。半導體設(shè)備大廠 ASM International (ASMI) 針對此一趨勢，與《電子工程專輯》談到了ALD 技術(shù)在先進半導
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